随着光刻技术的不断发展，光学光刻已从传统的g线、i线到，发展到远紫外，197nm以及157nm，设备的占用成本越来越高，而随着集成电路设计尺寸的继续缩小，更为严格的套刻指标和巨额的设备成本，混合匹配使用将成为一种必然的需要。各种混合匹配，以及光学光刻之后下一代光刻系统的混合匹配是需要不断研究的新课题。
晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备 光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。
光刻注意事项给出如下：
曝光
曝光是通过具有所要图形的模版，将图形传递到胶模上。光源一般采用汞灯或汞氙灯，所发光波长为紫外。对于正胶来说，曝光使得透光区的大分子链被破坏，显影的时候这部分被去除；而对于负胶来说，曝光使得透光区的小分子发生交连，显影时这部分被保留。所以正、负胶对于同一块模版来说，所刻出的图形是互补的。
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      nikon系列光刻机中，掩膜版的直角坐标系统、硅片的直角坐标系统、硅片上曝光成像图形的坐标系统以及硅片工作台的直角坐标系统，掩膜版坐标系统的原点是掩膜版的中心，硅片坐标系统的原点是硅片的中心位置，而硅片上曝光成像图形的中心，亦即该坐标系统的原点是掩膜版中心在硅片上投影成像点的位置。

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