东芝闪存这两天好嗨啊。全球第一个做到48层堆叠、单die容量256gb之后，今天又宣布利用tsv硅穿孔技术，开发出全球第一个16 die堆叠nand闪存。两项技术相结合，意味着一颗闪存芯片的容量可以达到256×16÷8＝512gb！四颗就能轻松搞定2tb固态硬盘！不过现阶段，东芝还没能将二者融为一体，这里使用的每一颗die容量为128gb，但即便如此，单颗闪存容量也能有256gb，四颗就可以1tb，八颗即可2tb。同时，东芝还提供了8 die堆叠版本，单颗容量也可达128gb。东芝介绍说，此前的堆叠闪存都是借助封装内引线接合(wire bonding)实现的，tsv技术则使用垂直电极和通道，打通各个硅芯片来实现连接，可以大大提高数据的输入输出，并降低功耗。东芝的这种tsv立体堆叠闪存还支持toggle d界面，io数据率可以超过1gbps，电压也十分低：核心电路仅18v，io电路更是只有12v，因此读写和io数据传输的功耗可以降低大约50％。东芝表示，这种新闪存延迟低、带宽高、能效高，尤其适合高端企业级ssd。不过东芝并未透露何时能够出货，估计还得一段时间，毕竟只是刚刚开发出来。 相比机械硬盘，ssd速度要高不少，但是比内存还是慢得多。那为什么会出现无缓存设计呢？这很简单，就是为了省钱。